Leistungshalbleiter

Rückgrat der Energiewende

ABB stellt eine neue Generation von Leistungshalbleitern vor. Es handelt sich um einen Transistoren-Typ, so genannte BIGTs (Bimode Insulated Gate Transistors), sowie eine neue Generation verlustarmer Thyristoren.

BIGTs (Bimode Insulated Gate Transistors)

Diese ermöglichen weitere Effizienzsteigerungen im Bereich der Energieübertragung. Leistungshalbleiter sind quasi das Rückgrat der Energiewende: Sowohl in der Energieübertragung, beispielsweise als Teil von Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragungs-Systemen (HGÜ-Systemen), als auch in Produkten wie Antrieben, die Pumpen vorgeschaltet werden, um diese effizienter zu betreiben.

Die Energiewende hat zahlreiche Facetten – von einer grundsätzlichen Umstellung der Erzeugungsstruktur und einem daraus resultierenden Umbau der Übertragungsnetze bis hin zu einer Senkung des Energieverbrauchs durch Maßnahmen zur Erhöhung der Energieeffizienz. In den neuen BIGT-Chips kann durch eine zweistufige Integration von Transistor- und Diodenfunktion auf einem Chip die Energiedichte gesteigert werden. Sie sind außerdem durch eine hohe Toleranz von Fehlerströmen gekennzeichnet.

ABB wird auch die neueste Generation an Thyristoren präsentieren, die zweite Art schaltbarer Leistungshalbleiter. Thyristoren sind durch hohe Blockierspannungen bis 8.500 Volt gekennzeichnet, bei geringsten Verlusten im leitenden Zustand; bereits seit Mitte der 70er Jahre werden Thyristoren auch für die klassische Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung eingesetzt. pb

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Halle 11, Stand A35

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